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机构
上海微系统与信息技术... [2]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2008 [1]
2004 [1]
学科主题
Engineerin... [1]
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Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67
Luo, JX
;
Chen, J
;
Zhou, JH
;
Wu, QQ
;
Chai, Z
;
Wang, X
收藏
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提交时间:2013/04/17
Hysteresis
MOSFET
partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)
SOI technology
temperature
PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 6,817-822
作者:
范雪梅
;
毕津顺
;
刘梦新
;
杜寰
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提交时间:2010/05/27
Pd
Soi
Mosfet
低频噪声
浮体效应
前背栅耦合效应
SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2004
李文钧
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提交时间:2012/03/06
SOI
Spectroscopic Ellisometry
Effective Medium Approximation
roughness
ta-C
AFM
PD SOI MOSFET
Spiral Inductor