中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海微系统与信息技术... [1]
半导体研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2021 [1]
2004 [1]
2002 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Engineering and Microscopic Mechanism of Quantum Emitters Induced by Heavy Ions in hBN
期刊论文
OAI收割
ACS PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 10, 页码: 2912-2922
作者:
Gu, Rui
;
Wang, Lei
;
Zhu, Huiping
;
Han, Shuangping
;
Bai, Yurong
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2021/12/13
heavy ion irradiation
hBN
quantum emitters
PL mapping
production efficiency
point defects
Study on the perfection of in situ p-injection synthesis lec-inp single crystals
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou, XL
;
Zhao, YW
;
Sun, NF
;
Yang, GY
;
Xu, YQ
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Etch-pit density
Phosphorus-rich
Pl-mapping
Indium phosphide
GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2002
朱朝嵩
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2012/03/06
GaAs
MESFET
阈值电压均匀性
旁栅效应
PL mapping