机构

• 半导体研究所 [3]
• 微电子研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2009 [2]
• 2005 [2]
• 2004 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Growth and characterization of inn on sapphire substrate by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 401-406 作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Rf-mbe  X-ray diffraction  Inn   RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN／GaNHEMT结构 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 5，1116-1120 作者:  李晋闽;  曾一平;  王晓亮;  王翠梅;  胡国新   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  Gan  二维电子气  Rf-mbe  功率器件   RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管  氮化镓  场效应晶体管  Rf—mbe