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机构
上海微系统与信息技术... [2]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2005 [1]
2004 [1]
学科主题
Engineerin... [1]
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共3条,第1-3条
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高压nLDMOS漂移区的设计研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 5,635_639
作者:
杜寰
;
夏洋
;
王文博
;
宋李梅
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提交时间:2010/05/26
Resurf
Ldmos
击穿电压
A novel analytical model for the breakdown voltage of thin-film SOI power MOSFETs
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2005, 卷号: 49, 期号: 1, 页码: 43-48
Yang, WW
;
Cheng, XH
;
Yu, YH
;
Song, ZR
;
Shen, DS
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
SURFACE FIELD DISTRIBUTION
THRESHOLD VOLTAGE
RESURF DEVICES
OPTIMIZATION
SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2004
杨文伟
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提交时间:2012/03/06
SOI PICs
功率器件
RESURF原理
TDDB
等效势垒