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高压nLDMOS漂移区的设计研究 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 5,635_639
作者:  
杜寰;  夏洋;  王文博;  宋李梅
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/05/26
A novel analytical model for the breakdown voltage of thin-film SOI power MOSFETs 期刊论文  OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2005, 卷号: 49, 期号: 1, 页码: 43-48
Yang, WW; Cheng, XH; Yu, YH; Song, ZR; Shen, DS
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/03/24
SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2004
杨文伟  
收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2012/03/06