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机构
半导体研究所 [3]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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Magnetic properties of silicon doped with gadolinium
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
METAL-INSULATOR-TRANSITION
BEAM EPITAXY TECHNIQUE
SEMICONDUCTING SILICIDES
INDUCED FERROMAGNETISM
FILMS
MAGNETORESISTANCE
TEMPERATURE
ALLOYS
GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP
;
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/08/12
Auger electron spectroscopy
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
ion beam epitaxy
semiconducting gadolinium silicide
SEMICONDUCTING SILICIDES
MAGNETIC SEMICONDUCTORS
TRANSITION
INSULATOR
SILICON
FILMS
MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520
Yang JL
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liao MY
;
He HJ
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
semiconducting manganese silicide
SEMICONDUCTING SILICIDES
THIN-FILMS
Ion beam syntheses and microstructure studies of a new FeSi2 phase
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 6, 页码: 3306
Jin, S
;
Li, XN
;
Zhang, Z
;
Dong, C
;
Gong, ZX
;
Bender, H
;
Ma, TC
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/09/18
SEMICONDUCTING FESI2
EPITAXIAL-FILMS
SILICIDES
SILICON
BETA-FESI2