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• 上海微系统与信息技术... [5]

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内容类型

• 会议论文 [2]
• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02 薛忠营; 张波; 魏星; 张苗 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 外延  应变  锗硅  SGOI   低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 马小波 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/03/06 低温等离子体键合  绝缘体上的硅（SOI）  绝缘体上锗硅（SGOI）  绝 缘体上的锗（GeOI）  应变硅（strained Si）   SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 狄增峰   收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/03/06 SiGe  绝缘体上的硅(SOI)  绝缘体上的锗硅(SGOI)  应变硅  高K栅介质  等离子浸没式离子注入  自加热效应     改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 张苗; 狄增峰; 刘卫丽; 骆苏华; 宋志棠; 朱剑豪; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/18 SGOI材料 Ge浓缩技术 氧化退火   Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘卫丽; 狄增峰; 张苗; 骆苏华; 宋志棠; 朱剑豪; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/18 SiGe 应力释放 氧化 扩散 Ge浓缩技术 SGOI材料