机构

• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [2]
• 2004 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• Physics, F... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491 H. Cheng; A. M. Wu; J. Q. Xiao; N. L. Shi; L. S. Wen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/04/13 Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  chemical-vapor-deposition  ar-diluted sih4  microcrystalline silicon  optical-properties  h films  plasma  pecvd  hydrogen  silane   Smooth Surface Morphology of Hydrogenated Amorphous Silicon Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 569-575 Yan, X; Feng, F; Zhang, J; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 A-SI-H  THIN-FILMS  ION-BOMBARDMENT  LOW-TEMPERATURE  SILANE PLASMA  GROWTH  PECVD  DIFFUSION  ROUGHNESS  FREQUENCY   Impacts of hydrogen dilution on growth and optical properties of a-SiC : H films 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES E-ENGINEERING & MATERIALS SCIENCE, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 327 Hu, ZH; Liao, XB; Diao, HW; Kong, GL; Zeng, XB; Xu, YY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 SILANE-METHANE PLASMA  AMORPHOUS-SILICON  CARBIDE   Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212 Zhu M; Guo X; Chen G; Han H; He M; Sun K 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 microstructures  microcrystalline silicon  hot wire chemical vapor deposition  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGEN  PLASMA  SPECTRA  GROWTH  SILANE