机构

• 近代物理研究所 [4]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2021 [1]
• 2017 [3]
• 2011 [1]

学科主题

• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者:  He, Ze;  Zhao, Shi-Wei;  Liu, Tian-Qi;  Cai, Chang;  Yan, Xiao-Yu   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE)  Error detection and correction (EDAC) code  Heavy ion  Radiation hardening technology  Single event upset (SEU)  Static random-access memory (SRAM)   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442 作者:  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi;  Khan, Maaz   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Li Yu-Dong;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/29 (60)Co gamma  total-dose irradiation damage effects  SRAM-based FPGA  CMOS cell