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机构
半导体研究所 [3]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2005 [1]
2004 [1]
2001 [2]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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Experiments and their analysis for self-assembly growth of GaN quantum dots via MOCVD
期刊论文
OAI收割
rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1849-1853
Meng T
;
Zhu XF
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:315/9
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提交时间:2010/04/11
GaN based quantum dots
self-assembly
S-K mode
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
OPTICAL-PROPERTIES
ALGAN SURFACES
Strain-mediated uniform islands in stacked Ge/Si(001) layers
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 11A, 页码: 7411
Xu, MJ
;
Jeyanthinath, M
;
Wang, XS
;
Jia, JF
;
Xue, QK
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/24
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
SELF-LIMITING GROWTH
GE ISLANDS
SI(001)
SHAPE
NANOSTRUCTURES
NANOCRYSTALS
ORGANIZATION
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
OAI收割
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
Ge/Si islands
quantum dot
band alignment
PL
SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
II BAND ALIGNMENT
GE ISLANDS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
LUMINESCENCE
ORGANIZATION
MECHANISM
Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008
Huang CJ
;
Tang Y
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:95/7
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提交时间:2010/08/12
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS
II BAND ALIGNMENT
PHOTOLUMINESCENCE
GE
EXCITONS
GAP
SI