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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   CO and H-2 Activation over g-ZnO Layers and w-ZnO(0001) 期刊论文  OAI收割 ACS CATALYSIS, 2019, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1373-1382 作者:  Yang, Fan;  Bao, Xinhe;  Chen, Hao;  Lin, Le;  Li, Yifan   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/06/20 ZnO  CO oxidation  NAP-STM  XPS  oxygen vacancy  surface polarity   Co and h-2 activation over g-zno layers and w-zno(0001) 期刊论文  iSwitch采集 Acs catalysis, 2019, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1373-1382 作者:  Chen, Hao;  Lin, Le;  Li, Yifan;  Wang, Rui;  Gong, Zhongmiao 收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/05/08 Zno  Co oxidation  Nap-stm  Xps  Oxygen vacancy  Surface polarity   Ambient conditions disordered-ordered phase transition of two-dimensional interfacial water molecules dependent on charge dipole moment 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: — 作者:  Wang, CL;  Qi, CH;  Tu, YS;  Nie, XC;  Liang, SS   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/12/30 CONFINED WATER  HOMOGENEOUS NUCLEATION  SURFACE POLARITY  METAL-SURFACES  ICE NUCLEATION  HYDRATION  LIQUID  MODEL  TEMPERATURE  MONOLAYER   A transition between bistable ice when coupling electric field and nanoconfinement 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2015, 卷号: 142, 期号: 13, 页码: — 作者:  Mei, F;  Zhou, XY;  Kou, JL;  Wu, FM;  Wang, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/09 CONFINED WATER NANOFILMS  CARBON NANOTUBES  PHASE-TRANSITIONS  BILAYER ICE  HYDROPHOBIC NANOPORES  MOLECULAR-DYNAMICS  INTERFACIAL WATER  ROOM-TEMPERATURE  SURFACE POLARITY  LIQUID WATER   Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI   Atomistic study of GaN surface grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  INVERSION DOMAINS  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  HETEROEPITAXIAL GROWTH  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYER  POLARITY  RECONSTRUCTIONS  MORPHOLOGY   Role of gallium wetting layer in high-quality ZnO growth on sapphire(0001) substrates 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2004, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 612 Zeng, ZQ; Wang, Y; Du, XL; Mei, ZX; Kong, XH; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  POLARITY DEPENDENCE  GAN  FILMS  TERMINATION   Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth 期刊论文  OAI收割 PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371 Bakhtizin, RZ; Xue, QZ; Xue, QK; Wu, KH; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION  COVERED GAN(0001) SURFACES  LIGHT-EMITTING DIODES  CUBIC GAN  ATOMIC-STRUCTURE  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  SILICON-CARBIDE