机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]
• 过程工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2020 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [2]
• 1996 [1]
• 1991 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancing impurities removal from Si by controlling crystal growth in directional solidification refining with Al-Si alloy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 820, 页码: 10 作者:  Qian, Guoyu;  Sun, Liyuan;  Chen, Hang;  Wang, Zhi;  Wei, Kuixian   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/03/24 High purity silicon  Directional solidification  Al-Si solvent refining  Si crystal growth  Impurity removal   Transformation of CeO2(111) to Ce2O3(0001) films 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 368, 期号: 5-6, 页码: 527 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 TEMPERATURE EPITAXIAL-GROWTH  PULSED-LASER DEPOSITION  CERIUM OXIDE-FILMS  THIN-FILMS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SINGLE-CRYSTAL  CEO2 FILMS  SURFACES  SI(111)  SILICON   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  carbonization  RHEED  single crystal epilayer  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM  HETEROEPITAXIAL GROWTH   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER   A surface structure model for Si(337) 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 217-219 Hu XM; Wang EG; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/17 low energy electron diffraction (LEED)  surface structure  stepped single crystal surfaces  SI(113) SURFACE  GROWTH  SI   INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 7612-7619 CHEN WD; CUI YD; HSU CC; TAO J 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  SILICIDES  KINETICS  CRYSTAL  SILICON  FILMS  COSI2  CO2SI  TI