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机构
上海微系统与信息技术... [4]
金属研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2010 [3]
2008 [1]
2007 [2]
学科主题
Materials ... [1]
Nanoscienc... [1]
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共6条,第1-6条
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基于点割集的无线带状传感网分布式寿命预测算法
期刊论文
OAI收割
电子与信息学报, 2010, 期号: 11
吴明娟
;
张宝贤
;
黄河清
;
王海林
;
刘海涛
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提交时间:2012/01/06
紫外压印
高密度相变存储器阵列
Si2Sb2Te5存储单元
标准差(σ)
相变
Thermally induced phase separation of Si-Sb-Te alloy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2010, 卷号: 356, 期号: 18-19, 页码: 884-888
Cheng, Y
;
Yan, N
;
Han, XD
;
Zhang, Z
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
SI2SB2TE5
相变材料的化学机械抛光工艺研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
钟旻
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/03/06
相变存储器
Ge2Sb2Te5
化学机械抛光工艺
Si2Sb2Te5
工艺集成
Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process
期刊论文
OAI收割
SCRIPTA MATERIALIA, 2008, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 977-980
Zhang, T
;
Cheng, Y
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Han, XD
;
Zhang, Z
;
Chen, B
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/03/24
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
RANDOM-ACCESS MEMORY
PHASE-CHANGE
GE2SB2TE5 FILMS
DATA-STORAGE
THIN-FILMS
GROWTH
TRANSITION
SI2SB2TE5
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:
Zhang, Ting
;
Song, Zhitang
;
Liu, Bo
;
Feng, Songlin
;
Chen, Bomy
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提交时间:2021/02/02
phase change
chalcogenide random access memory
Si2Sb2Te5
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:
Zhang, Ting
;
Song, Zhitang
;
Liu, Bo
;
Feng, Songlin
;
Chen, Bomy
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提交时间:2021/02/02
phase change
chalcogenide random access memory
Si2Sb2Te5