机构

• 半导体研究所 [4]
• 高能物理研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 学位论文 [5]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [2]
• 2014 [1]
• 2008 [1]

学科主题

• 半导体器件 [2]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/06/02 4H-SiC  场效应晶体管  NO退火  UMOSFET  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容   脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘敏 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/05/26 脉冲激光退火  SiC欧姆接触  数值模拟  接触特性   4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 刘胜北 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2015/12/08 4H-SiC  肖特基二极管  JBS  沟槽型肖特基  欧姆接触   博士后出站报告-4H-SiC肖特基二极管探测器的制备和表征 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院, 2015 作者:  杜园园   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/03/18 4H-SiC  欧姆接触  肖特基二极管  热电子发射  高压特性  γ射线探测器   4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014 郑柳 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/06/05 4H-SiC  肖特基二极管  双阻终端扩展  欧姆接触  可靠性  TMBS  4H-SiC/SiO2界面   Mn／6H-SIC（0001）界面的同步辐射光电子能谱研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2008, 卷号: 031 作者:  武煜宇;  刘金锋;  孙柏;  刘忠良;  徐彭寿   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/11/25 同步辐射  光电子能谱  欧姆接触  Mn／SiC