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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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收藏
  |  
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, P (Li, Pei)[ 1 ]
;
He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ]
  |  
收藏
  |  
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
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收藏
  |  
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Guo, HX (Guo, Hong-xia)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CH (He, Chao-hui)
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收藏
  |  
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 1137-1141
作者:
Li, P (Li, Pei)
;
He, CH (He, Chaohui)
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Zhang, JX (Zhang, Jinxin)
收藏
  |  
Inductorless SiGe BiCMOS optical receiver frond end for 25 Gb/s optical links
会议论文
OAI收割
成都, October 21-22, 2016
作者:
Jingqiu Wang
;
Fujiang Lin
;
Liang Chen
;
Qiwei Song
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收藏
  |  
Microstructure and Thermoelectric Properties of p-type Si80Ge20B0.6-SiC Nanocomposite
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 997-1003
作者:
Yang Xiao-Yan
;
Wu Jie-Hua
;
Ren Du-Di
;
Zhang Tian-Song
;
Chen Li-Dong
收藏
  |  
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
何超
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  |  
Fabrication and contact resistivity of W-Si3N4/TiB2-Si3N4/p-SiGe thermoelectric joints
期刊论文
OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 8044-8050
作者:
Yang, X. Y.
;
Wu, J. H.
;
Gu, M.
;
Xia, X. G.
;
Chen, L. D.
收藏
  |  
Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3
作者:
Liu, MH (Liu, Mo-Han)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
Ma, WY (Ma, Wu-Ying)
;
Wang, X (Wang, Xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
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