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浏览/检索结果: 共108条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文  OAI收割 辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS  偏置条件  电离总剂量  氧化物陷阱电荷  界面态   Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5 作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/10 SiGe HBTs  Oxide isolation  ELDRS  EHPs generation  Holes trapping  Protons transportation   Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ];  Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ];  Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/11/20 Sige Hbt  Synergistic Effect  Single Event Effects  Total Ionizing Dose   Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 1137-1141 作者:  Li, P (Li, Pei);  He, CH (He, Chaohui);  Guo, HX (Guo, Hongxia) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2017/06/20 Different silicon-germanium (SiGe) process  emitter-base (EB)-spacer geometry  enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)  isolation structure   Inductorless SiGe BiCMOS optical receiver frond end for 25 Gb/s optical links 会议论文  OAI收割 成都, October 21-22, 2016 作者:  Jingqiu Wang;  Fujiang Lin;  Liang Chen;  Qiwei Song   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/09/30 Sige Bicmos  Optical Receiver  Inductorless  Zero-pole Canceling  Negative Miller Capacitance   Microstructure and Thermoelectric Properties of p-type Si80Ge20B0.6-SiC Nanocomposite 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 997-1003 作者:  Yang Xiao-Yan;  Wu Jie-Hua;  Ren Du-Di;  Zhang Tian-Song;  Chen Li-Dong 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/02/27 SiGe alloys  SiC nanoparticle dispersion  thermoelectric material  nanocomposite  nanostructuring   硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 何超 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/06/02 Si 基发光器件  Ge/Si 量子点  Ge/SiGe 量子阱  Ge 薄膜   Fabrication and contact resistivity of W-Si3N4/TiB2-Si3N4/p-SiGe thermoelectric joints 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 8044-8050 作者:  Yang, X. Y.;  Wu, J. H.;  Gu, M.;  Xia, X. G.;  Chen, L. D. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/02/27 SiGe  Joint  Interfacial stability  Contact resistivity   Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3 作者:  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2016/12/12 SiGe HBTs  TID  ELDRS  annealing