机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2005 [2]
• 2000 [5]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A method to estimate the strain state of sige/si by measuring the bandgap 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353 作者:  Cheng, BW;  Yao, F;  Xue, CL;  Zhang, JG;  Li, CB 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige alloy  Strain  Bandgap   A method to estimate the strain state of SiGe/Si by measuring the bandgap 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：93/39  |  提交时间：2010/03/17 SiGe alloy   The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Gsmbe  Sige alloy  Doping  Sims  Hbt  Current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI