机构

• 金属研究所 [2]
• 化学研究所 [1]
• 大连化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [2]
• 2013 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Effect of argon flow on promoting boron doping for in-situ grown silicon nitride thin films containing silicon quantum dots 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28 作者:  Liu, Jia;  Liu, Bin;  Zhang, Xisheng;  Guo, Xiaojia;  Liu, Shengzhong (Frank)   |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/10/29 Si Quantum Dot  Silicon Nitride Thin Film  Pecvd  Boron-doping  Argon Dilution   The microstructure and optical properties of SiNx deposited by linear microwave chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 6 作者:  Zhang Jian;  Ba DeChun;  Zhao ChongLing;  Liu Kun;  Du GuangYu   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 SILICON-NITRIDE FILMS  THIN-FILMS  PLASMA  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SiNx thin film  linear microwave chemical vapor deposition  refractivity  deposition rate   The microstructure and optical properties of SiNx deposited by linear microwave chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 6 作者:  Zhang Jian;  Ba DeChun;  Zhao ChongLing;  Liu Kun;  Du GuangYu   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2021/02/02 SILICON-NITRIDE FILMS  THIN-FILMS  PLASMA  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SiNx thin film  linear microwave chemical vapor deposition  refractivity  deposition rate   High reliability of vanadyl-phthalocyanine thin-film transistors using silicon nitride gate insulator 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2013, 卷号: 545, 页码: 514-516 作者:  Wang, Lijuan;  Qin, Haitao;  Zhang, Wei;  Zhang, Long;  Yan, Donghang   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/04/09 Organic Thin Film Transistors  Vanadyl-phthalocyanine  Silicon Nitride  Reliability  Threshold Voltage