机构

• 近代物理研究所 [2]
• 计算技术研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2022 [1]
• 2019 [2]
• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Machine Learning Approach for Optimization of Channel Geometry and Source/Drain Doping Profile of Stacked Nanosheet Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 页码: 7 作者:  Xu, Haoqing;  Gan, Weizhuo;  Cao, Lei;  Yang, Cheng;  Wu, Jiahao   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2022/12/07 Performance evaluation  Doping  Optimization  Geometry  Semiconductor process modeling  Training  Logic gates  Machine learning  multi-objective optimization (MOO)  nanosheet  technology computer-aided design (TCAD) simulation   Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   Charge collection and non-ionizing radiation tolerance of CMOS pixel sensors using a 018 mu m CMOS process 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2016, 卷号: 831, 页码: 99-104 作者:  Zhang Y(张颖);  Zhu HB(朱宏博);  Zhang, Y;  Zhu, HB;  Zhang, L   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/07/27 CEPC vertex detector  CPS  TCAD simulation  Charge collection  Radiation damage