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	Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文 OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116 作者: Ma, T (Ma, Teng); Yu, XF (Yu, Xuefeng); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Zhou, H (Zhou, Hang) \| 收藏 \| 浏览/下载：65/0 \| 提交时间：2018/03/14 Reliability Proton Irradiation Radiation Induced Leakage Current (Rilc) Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb) Total Ionizing Does (Tid)
	γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 苏丹丹 \| 收藏 \| 浏览/下载：37/0 \| 提交时间：2017/09/26 Mosfet Tddb 辐射效应可靠性
	辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 周航 \| 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2017/09/26 Cmos 热载流子辐射效应重离子辐照 Tddb
	超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究期刊论文 OAI收割电子器件, 2007, 期号: 2 作者: 钟兴华; 徐秋霞 \| 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2010/05/26 击穿 Si3n4/sio2（n/o）叠层可靠性应力诱生漏电流（silc) Tddb特性
	SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004 杨文伟收藏 \| 浏览/下载：65/0 \| 提交时间：2012/03/06 SOI PICs 功率器件 RESURF原理 TDDB 等效势垒