中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
上海光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [2]
2007 [1]
学科主题
光学薄膜 [1]
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Delay of the excited state lasing of 1310 nm inas/gaas quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: 3
作者:
Cao, Yu-Lian
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Excited states
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Laser tuning
Optical films
Quantum dot lasers
Silicon compounds
Tantalum compounds
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:232/51
  |  
提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD
PERFORMANCE
GAIN
Ta2O5膜在532, 800 和 1064 nm波长的n-on-1体系下的激光损伤阈值研究
期刊论文
OAI收割
Chin. Opt. Lett., 2007, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 727, 729
许程
;
姚建可
;
麻健勇
;
晋云霞
;
邵建达
收藏
  |  
浏览/下载:772/99
  |  
提交时间:2009/09/22
Ta2O5膜
激光损伤阈值
吸收
退火
Annealing
Electron beams
Evaporation
Laser damage
Optical properties
Tantalum compounds