机构

• 半导体研究所 [3]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Band hybridization effect in InAs/GaSb based quantum wells 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 2013, 卷号: 377, 期号: 9, 页码: 727-730 作者:  Liu, LW(刘立伟) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/01/08 Type II quantum well  Band hybridization  Many-body effect  Exchange self-energy  Minigap   Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Yu Xiu;  Gu Yong-Xian;  Wang Qing;  Wei Xin;  Chen Liang-Hui 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/12 Type-ii 'w' quantum well  Burt-foreman hamiltonian  Finite element methods   Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507 Yu X; Gu YX; Wang Q; Wei X; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/06 type-II 'W' quantum well  Burt-Foreman Hamiltonian  finite element methods  LASERS  ALLOYS   Photoluminescence study of (gaas1-xsbx/inyga1-yas)/gaas bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954 作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Bilayer quantum well  Type-ii luminescence