机构

• 上海应用物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• Chemistry [1]
• Physics [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Investigation of strain-relaxed SiGe thin film grown on ion-implanted Si compliant substrate 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 239, 期号: 4, 页码: 433 Chen, CC; Yu, BH; Liu, JF; Cao, JQ（曹建清）; Zhu, DZ（朱德彰）; Liu, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/05/03 strain relaxation  UHVCVD  ion implantation  SiGe   Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RARE EARTHS, 2004, 卷号: 22, 页码: 26 Chen, CC（陈长春）; Liu, ZH; Huang, WT; Dou, WZ; Xiong, XY; Zhang, W（张伟）; Peihsin, T; Cao, JQ（曹建清） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/05/11 strain relaxation  UHVCVD  ion implantation  SiGe