机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin inas monolayers 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600 作者:  Li, T.;  Zhang, X. H.;  Zhu, Y. G.;  Huang, X.;  Han, L. F. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Ultrathin inas monolayer  Hole spin relaxation  Dp mechanism   Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2010, 2010, 卷号: 42, 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600, 1597-1600 作者:  Li T;  Zhang XH;  Zhu YG;  Huang X;  Han LF   |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/04/28 Ultrathin InAs monolayer  Ultrathin Inas Monolayer  Hole Spin Relaxation  Dp Mechanism  Semiconductor Quantum Dots  Wells  Gaas  Hole spin relaxation  DP mechanism  SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  WELLS  GAAS