机构

• 半导体研究所 [10]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [2]
• 2007 [2]
• 1998 [3]
• 1996 [2]

学科主题

• 半导体物理 [4]
• Physics [1]
• 半导体化学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin inas monolayers 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600 作者:  Li, T.;  Zhang, X. H.;  Zhu, Y. G.;  Huang, X.;  Han, L. F. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Ultrathin inas monolayer  Hole spin relaxation  Dp mechanism   Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2010, 2010, 卷号: 42, 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600, 1597-1600 作者:  Li T;  Zhang XH;  Zhu YG;  Huang X;  Han LF   |  收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/28 Ultrathin InAs monolayer  Ultrathin Inas Monolayer  Hole Spin Relaxation  Dp Mechanism  Semiconductor Quantum Dots  Wells  Gaas  Hole spin relaxation  DP mechanism  SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  WELLS  GAAS   Hole spin relaxation in an ultrathin inas monolayer 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 4 作者:  Li Tao;  Zhu Yong-Gang;  Zhang Xin-Hui;  Ma Shan-Shan;  Wang Peng-Fei 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 057303 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：184/55  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  GAAS  WELLS  DYNAMICS  EXCITONS   Exciton spin splitting in ultrathin inas layers 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 7, 页码: 3 作者:  Sun, Zheng;  Xu, Z. Y.;  Ji, Yang;  Sun, B. Q.;  Wang, B. R. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Exciton spin splitting in ultrathin InAs layers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 7, 页码: art.no.071907 Sun, Z (Sun, Zheng); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Ji, Y (Ji, Yang); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Wang, BR (Wang, B. R.); Huang, SS (Huang, S. S.); Ni, HQ (Ni, H. Q.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 GAAS QUANTUM-WELLS   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1998, 卷号: 123, 期号: 0, 页码: 343-346 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文  OAI收割 6th international conference on the formation of semiconductor interfaces (icfsi-6), cardiff, wales, jun 23-27, 1997 作者:   收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES   Optical anisotropy of inas submonolayer quantum wells in a (311) gaas matrix 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 1998, 卷号: 123, 页码: 343-346 作者:  Chen, YH;  Yang, Z;  Wang, ZG;  Xu, B;  Liang, JB 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction study of GaAs/InAs/GaAs ultrathin single quantum well 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 10, 页码: 7627-7631 作者:  Bai, J;  Liu, WH;  Wu, ZQ;  Wang, YT;  Xiu, LS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/29