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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Facile synthesis of chromium doped cadmium sulfide/zinc telluride nanocomposites for enhanced electrochemical energy storage and photocatalytic applications 期刊论文  OAI收割 MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, 2024, 卷号: 322 作者:  Kamran, Muhammad Arshad;  Raza, Mohsin;  Ullah, Sami;  Alarifi, Saad S.;  Aziz, Muhammad Hammad   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2024/11/20 Electrodes  Photocatalyst  CdS/ZnTe  Nanocomposites  Supercapacitors  Photodegradation   天宫二号ZnTe:Cu晶体生长及能谱分析（英文） 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 281-284 作者:  王仍;  陆液;  焦翠灵;  乔辉;  李向阳   |  收藏  |  浏览/下载：304/0  |  提交时间：2019/11/13 微重力  ZnTe:Cu晶体  能谱分析   Giant conductivity enhancement: Pressure-induced semiconductor-metal phase transition in Cd0.90Zn0.1Te 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: 94109 作者:  Saqib H.;  Rahman S.;  Errandonea D.;  Susilo Resta A.;  Jorge-Montero A.   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/11/13 X-RAY-DIFFRACTION  RAMAN-SCATTERING  BAND-GAP  ELECTRONIC-STRUCTURE  THERMAL-EXPANSION  CDTE  CDZNTE  TEMPERATURE  ZNTE  APPROXIMATION   Optical and magnetic properties of transition-metal ions in tetrahedral and octahedral compounds 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 10, 页码: 1796-1800 H. F. Li; H. Q. Wang; X. Y. Kuang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 EPR and optical spectra  complete energy matrix  ligand-field theory  tetrahedral coordination complexes  octahedral complexes  transition-metal ions  electron-paramagnetic-resonance  trigonal ligand-field  structure  distortion  vanadium centers  local-structure  znte crystals  mn2+ ions  spectra  absorption  epr   Optimization of vi/ii pressure ratio in znte growth on gaas(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Cui, Lijie;  Li, Yanbo 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Znte  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Cui, Lijie;  Li, Yanbo   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Phase Transition and Phonon Spectrum of Zinc-Blende Structure ZnX (X = S, Se, Te) 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2010, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1160-1166 J. J. Tan; G. F. Ji; X. R. Chen; Q. Q. Gou 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/13 phase transition  elasticity  phonon dispersion  order elastic constants  ab-initio calculations  high-pressure phase  optical-properties  electronic-structure  molecular-dynamics  crystal-structure  absorption-edge  zinc selenide  znte   Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Cui LJ (Cui Lijie); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：169/17  |  提交时间：2010/07/05 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE ZNTE  MBE GROWTH  100 GAAS  ZNSE  LAYERS  SURFACE  TEMPERATURE  SUBSTRATE  EPILAYERS   Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 107, 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704, Art. No. 083704 作者:  Tang LM (Tang Li-Ming);  Wang LL (Wang Ling-Ling);  Wang D (Wang Dan);  Liu JZ (Liu Jian-Zhe);  Chen KQ (Chen Ke-Qiu)   |  收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/05/24 AUGMENTED-WAVE METHOD  Augmented-wave Method  Electronic-structure  Semiconductors  Films  Znse  Znte  ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  FILMS  ZNSE  ZNTE   Improvement in the Quality of ZnTe Epilayers Grown on GaAs Substrates by Introducing a Low-Temperature Buffer Layer 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 80208-80208 Guo, QX; Sueyasu, Y; Tanaka, T; Nishio, M; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/11/03 VAPOR-PHASE EPITAXY  DRY-ETCHING PROCESSES  P-TYPE ZNTE  SURFACE-MORPHOLOGY  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC TELLURIDE  FABRICATION  STRAIN