机构

• 半导体研究所 [4]
• 高能物理研究所 [2]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2017 [2]
• 2015 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [2]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structure design of a high-performance aluminum nitride differential resonant accelerometer 期刊论文  OAI收割 Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2017, 卷号: 10605, 页码: 1060519 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/08/29 resonant accelerometer  aluminium nitride  microleverage  supporting beam  differential frequency detection   Structure design of a high-performance aluminum nitride differential resonant accelerometer 期刊论文  OAI收割 Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2017, 卷号: 10605, 页码: 1060519 作者:  Lei, Qiang;  Gao Y(高扬);  Gao, Yang;  Zhang, Da-Peng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/08/27 resonant accelerometer  aluminium nitride  microleverage  supporting beam  differential frequency detection   Facile and effective aluminium nitride anti-oxidation coating for carbon nanotubes 期刊论文  OAI收割 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 276, 页码: 502-506 作者:  Han, Yue;  Zhou, Heng;  Li, Shan;  Ye, Li;  Chen, Fenghua 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/10/26 Carbon nanotubes  Aluminium nitride  Nanostructure  Oxidation resistance   Growth of crack-free algan film on thin aln interlayer by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 作者:  Jin, RQ;  Liu, JP;  Zhang, JC;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystal morphology  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Aluminium gallium nitride   Structural properties and raman measurement of aln films grown on si (111) by nh3-gsmbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235 作者:  Luo, MC;  Wang, XL;  Li, JM;  Liu, HX;  Wang, L 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Raman  Transmission electron microscopy  Molecular beam epitaxy  Aluminium nitride   Structural properties and Raman measurement of AlN films grown on Si (111) by NH3-GSMBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235 Luo MC; Wang XL; Li JM; Liu HX; Wang L; Sun DZ; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  Raman  transmission electron microscopy  molecular beam epitaxy  aluminium nitride  ELECTRON-AFFINITY  GAN  SI(111)   Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78 Lu DC; Duan S 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 AlGaN  thermodynamic  MOVPE  aluminium content  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  NITRIDE  REGION  ALLOYS