机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1998 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-concentration hydrogen in unintentionally doped gan 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 页码: 566-569 作者:  Zhang, JP;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Li, XB;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  Gas source molecular beam epitaxy  Hydrogen  Autodoping   High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 期号: 0, 页码: 566-569 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  gas source molecular beam epitaxy  hydrogen  autodoping  FILMS   High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文  OAI收割 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Li XB; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 gallium nitride  gas source molecular beam epitaxy  hydrogen  autodoping  FILMS