机构

• 金属研究所 [1]
• 数学与系统科学研究院 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2021 [1]
• 2014 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 2049-2055 作者:  Guo, Jingrui;  Zhao, Ying;  Yang, Guanhua;  Chuai, Xichen;  Lu, Wenhao   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2021/06/01 Electric potential  Solid modeling  Logic gates  Integrated circuit modeling  Numerical models  Thin film transistors  Analytical models  Analytical models  independent dual gate (IDG) amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (IDG a-IGZO TFTs)  Schroder method  surface potential  threshold compensation effect   The solvent-dependent binding modes of a rhodamine-azacrown based fluorescent probe for Al3+ and Fe3+ 期刊论文  OAI收割 dyes and pigments, 2014, 卷号: 101, 期号: 2, 页码: 58-66 Fang,Xinxiu; Zhang,Shoufeng; Zhao,Guiyan; Zhang,Wenwen; Xu,Jingwei; Ren,Aimin; Wu,Cunqi; Yang,Wei 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2015/10/19 PHOTOINDUCED ELECTRON-TRANSFER  DUAL-CHANNEL FLUORESCENCE  AQUEOUS-MEDIA  ALUMINUM IONS  LIVING CELLS  LOGIC GATE  CHEMOSENSOR  CONJUGATE  SENSOR  IRON   High-performance dual-gate carbon nanotube FETs with 40-nm gate length 期刊论文  OAI收割 Ieee Electron Device Letters, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 823-825 Y. M. Lin; J. Appenzeller; Z. H. Chen; Z. G. Chen; H. M. Cheng; P. Avouris 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/14 carbon nanotube (CN)  dual gate  field-effect transistor (FET)  short-channel effect  field-effect transistors