机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]
• 中国科学院大学 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of device parameters on performance of one-port type saw resonators on aln/sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of micromechanics and microengineering, 2018, 卷号: 28, 期号: 8 作者:  Yang,Shuai;  Ai,Yujie;  Zhang,Yun;  Cheng,Zhe;  Zhang,Lian 收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2019/05/12 Surface acoustic wave  Aln films  Device parameters  Electromechanical coupling coefficient  Interdigital transducers   Resonance spectrum characteristics of effective electromechanical coupling coefficient of high-overtone bulk acoustic resonator 期刊论文  iSwitch采集 Micromachines, 2016, 卷号: 7, 期号: 9, 页码: 11 作者:  Li, Jian;  Liu, Mengwei;  Wang, Chenghao 收藏  |  浏览/下载：192/0  |  提交时间：2019/05/09 High-overtone bulk acoustic resonator  Effective electromechanical coupling coefficient  Resonance spectrum   Micro-electro-mechanical systems capacitive ultrasonic transducer with a higher electromechanical coupling coefficient 期刊论文  OAI收割 Micro & Nano Letters, 2015, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Miao, J(苗静);  Shen, WJ(沈文江);  He, CD;  Xue, CY;  Xiong, JJ 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2015/12/31 silicon  elemental semiconductors  silicon-on-insulator  wafer bonding  electromechanical effects  ultrasonic transducers  capacitive transducers  micromechanical devices  micromachining  vibrations  membranes  finite element analysis  reliability  capacitance  electromechanical coupling coefficient  capacitive micromachined ultrasonic transducer  impedance matching  propagation medium  microelectromechanical system capacitive ultrasonic transducer  silicon on insulator  wafer bonding  optimum geometric dimensions  membrane mechanical vibration  electrical characteristics  finite-element analysis  operation mode  device safety  device reliability  equivalent stress  operation-collapse voltage  bottom electrodes  glass substrate surface  parallel parasitic capacitance  Si  SiO2   Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 6 作者:  Zhang YM(张育民);  Fan YM(樊英民);  Xu GZ(徐耿钊);  Xu K(徐科);  Zhong HJ(钟海舰) 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2014/11/27 ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT  PROPAGATION PROPERTIES  ON-SAPPHIRE  VELOCITY  NITRIDE  DEVICES