机构

• 金属研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8 P. F. Yan; K. Du; M. L. Sui 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2013/02/05 quantum-well structures  light-emitting-diodes  deformation mechanisms  metallic multilayers  thin-films  misfit dislocations  ingan epilayers  composites  interfaces  gan   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN