机构

• 金属研究所 [6]
• 物理研究所 [4]
• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2018 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [3]
• 2007 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Misfit strain relaxations of (101)-oriented ferroelectric PbTiO3/(La, Sr)(Al, Ta)O-3 thin film systems 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2018, 卷号: 33, 期号: 24, 页码: 4156-4164 作者:  Feng, Yanpeng   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/02/02 ferroelectric film  transmission electron microscopy  misfit strain relaxation   Misfit dislocations of anisotropic magnetoresistant Nd0.45Sr0.55MnO3 thin films grown on SrTiO3 (110) substrates 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2012, 卷号: 60, 期号: 17, 页码: 5975-5983 Y. L. Tang; Y. L. Zhu; H. Meng; Y. Q. Zhang; X. L. Ma 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/02/05 High resolution (scanning) transmission electron microscopy  Misfit  dislocations  Perovskite oxides  Misfit relaxation  perovskite films  nd1-xsrxmno3  transition  evolution   Microstructural evolution of PbZr(x)Ti(1-x)O(3)/PbZr(y)Ti(1-y)O(3) (n) epitaxial multilayers (x/y=0.2/0.4, 0.4/0.6) - dependence on layer thickness 期刊论文  OAI收割 Philosophical Magazine, 2010, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 1359-1372 Y. L. Zhu; S. J. Zheng; X. L. Ma; L. Feigl; M. Alexe; D. Hesse; I. Vrejoiu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 ferroelectrics  transmission electron microscopy  microstructure  ferroelectric thin-films  misfit relaxation mechanisms  domain  configurations  heterostructures  polarization   Dislocations in charge-ordered Pr(0.5)Ca(0.5)MnO(3) epitaxial thin films prepared by a two-step growth technique 期刊论文  OAI收割 Philosophical Magazine Letters, 2010, 卷号: 90, 期号: 5, 页码: 323-336 Y. L. Zhu; X. Wang; M. J. Zhuo; Y. Q. Zhang; X. L. Ma 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/13 dislocations  transmission electron microscopy  thin films  perovskites  misfit relaxation mechanisms  moire fringe contrast  magnetic-field  domain configurations  strain  srtio3  interface  substrate  identification  accommodation   Microstructure tuning of epitaxial BaTiO(3) (-) (x) thin films grown using laser molecular-beam epitaxy by varying the oxygen pressure 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2010, 卷号: 518, 期号: 14, 页码: 3669-3673 Y. L. Zhu; S. J. Zheng; D. Chen; X. L. Ma 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 BaTiO(3-x)  Thin films  oxides  oxygen pressure  {111} twins  microstructure  X-ray diffraction  Laser molecular beam epitaxy  Transmission electron microscopy  111 twin-boundary  transport-properties  misfit relaxation  srtio3  stoichiometry  perovskites  interface  mgo   Microstructural characteristics in the BaTiO2.52 thin films showing metallic behavior 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 1971-1973 Y. L. Zhu; M. J. Zhuo; X. L. Ma; H. B. Lu 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/13 microstructure  BaTiO3-x thin films  oxygen deficiency  molecular-beam-epitaxy  transport-properties  misfit relaxation  barium-titanate  111 twins  growth  srtio3  perovskites  deposition   Thickness and oxygen pressure dependent structural characteristics of BaTiO3 thin films grown by laser molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 7442 Zhao, T; Chen, F; Lu, HB; Yang, GZ; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/23 MISFIT RELAXATION MECHANISMS  DOMAIN CONFIGURATIONS  DIELECTRIC-PROPERTIES  REACTIVE EVAPORATION  CRYSTAL-STRUCTURE  DEPOSITION  SRTIO3  PEROVSKITES  RADICALS  DEFECTS   Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152 Wu J; Lin F 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP  misfit dislocations  surface morphology  GROWTH  RELAXATION  SUBSTRATE  CIRCUITS   Evolution of mosaic structure in Si0.7Ge0.3 epilayers grown on Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 1292 Li, JH; Peng, CS; Mai, ZH; Zhou, JM; Huang, Q; Dai, DY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 THREADING DISLOCATION DENSITY  STRAIN RELAXATION  HETEROEPITAXIAL LAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  SURFACE-MORPHOLOGY  SUPERLATTICES  DIFFRACTION  BUFFERS  FILMS   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS