机构

• 半导体研究所 [474]
• 物理研究所 [191]
• 金属研究所 [64]
• 上海微系统与信息技... [23]
• 长春光学精密机械与... [15]
• 苏州纳米技术与纳米... [10]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [669]
• iSwitch采集 [143]

内容类型

• 期刊论文 [756]
• 会议论文 [56]

发表日期

• 2015 [6]
• 2014 [11]
• 2013 [18]
• 2012 [9]
• 2011 [45]
• 2010 [34]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [172]
• 半导体物理 [122]
• 光电子学 [32]
• Crystallog... [6]
• 半导体化学 [6]
• Physics, M... [5]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共812条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Adaptive time-stepping algorithms for molecular beam epitaxy: Based on energy or roughness 期刊论文  OAI收割 APPLIED MATHEMATICS LETTERS, 2020, 卷号: 99, 页码: 8 作者:  Luo, Fusheng;  Xie, Hehu;  Xie, Manting;  Xu, Fei   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2020/01/10 Molecular beam epitaxy  Adaptive time-stepping method  Equidistribution of energy  Equidistribution of roughness   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-II InAs/GaSb superlattices 期刊论文  OAI收割 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 51, 期号: 3 作者:  Guo, Chunyan;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei   |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/03/21 Dual-color infrared detectors  InAs  GaSb superlattices  Molecular beam epitaxy  Sulfide treatment passivation   Passivation Mechanism of Nitrogen in ZnO under Different Oxygen Ambience 期刊论文  OAI收割 Crystals, 2019, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 7 作者:  X.Y.Chen;  Z.Z.Zhang;  Y.Y.Zhang;  B.Yao;  B.H.Li   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/08/24 molecular beam epitaxy,ZnO,dopant,defects,x-ray photoelectron,optical-properties,thin-films   High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3 作者:  J.-M.Shang;  J.Feng;  C.-A.Yang;  S.-W.Xie;  Y.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/08/24 Gallium compounds,Antimony compounds,III-V semiconductors,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Optically pumped lasers,Pumping (laser),Quantum well lasers,Semiconductor quantum wells,Silicon carbide,Silicon compounds,Tellurium compounds,Wide band gap semiconductors   Photoelectric Properties of N Doped MgZnO Thin Films 期刊论文  OAI收割 Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2019, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 956-960 作者:  P.-C.Zhao;  Z.-Z.Zhang;  B.Yao;  B.-H.Li;  X.-L.Li   |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2020/08/24 Thin films,Carrier mobility,II-VI semiconductors,Light emission,Magnesium,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Nitrogen,Photoelectricity,Sapphire,Semiconductor alloys,Semiconductor doping,Zinc oxide   Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022 作者:  Yang, Xinju;  Jia QJ(贾全杰);  Jiang, Zuimin;  Jia, Quanjie;  Zhong, Zhenyang   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/10/11 GeSn  dislocation-related photoluminescence  molecular beam epitaxy  microstructure  x-ray diffraction reciprocal space mapping   High quality PdTe2 thin films grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 86804 作者:  Li, E;  Zhang, RZ;  Li, H;  Liu, C;  Li, G   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/09/24 two-dimensional materials  transition-metal dichalcogenides  PdTe2  molecular beam epitaxy   Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics