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Adaptive time-stepping algorithms for molecular beam epitaxy: Based on energy or roughness
期刊论文
OAI收割
APPLIED MATHEMATICS LETTERS, 2020, 卷号: 99, 页码: 8
作者:
Luo, Fusheng
;
Xie, Hehu
;
Xie, Manting
;
Xu, Fei
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  |  
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
  |  
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  |  
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
  |  
收藏
  |  
Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-II InAs/GaSb superlattices
期刊论文
OAI收割
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 51, 期号: 3
作者:
Guo, Chunyan
;
Jiang, Zhi
;
Jiang, Dongwei
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
  |  
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  |  
Passivation Mechanism of Nitrogen in ZnO under Different Oxygen Ambience
期刊论文
OAI收割
Crystals, 2019, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 7
作者:
X.Y.Chen
;
Z.Z.Zhang
;
Y.Y.Zhang
;
B.Yao
;
B.H.Li
  |  
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  |  
High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3
作者:
J.-M.Shang
;
J.Feng
;
C.-A.Yang
;
S.-W.Xie
;
Y.Zhang
  |  
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  |  
Photoelectric Properties of N Doped MgZnO Thin Films
期刊论文
OAI收割
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2019, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 956-960
作者:
P.-C.Zhao
;
Z.-Z.Zhang
;
B.Yao
;
B.-H.Li
;
X.-L.Li
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  |  
Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022
作者:
Yang, Xinju
;
Jia QJ(贾全杰)
;
Jiang, Zuimin
;
Jia, Quanjie
;
Zhong, Zhenyang
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  |  
High quality PdTe2 thin films grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 86804
作者:
Li, E
;
Zhang, RZ
;
Li, H
;
Liu, C
;
Li, G
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  |  
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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