机构

• 半导体研究所 [4]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2013 [1]
• 2011 [1]
• 2007 [1]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 46, 期号: 20 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, Y(徐俞);  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2014/01/15 VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  RAMAN-SCATTERING  ORGANIC-SOLIDS  GROWTH  ABLATION  FEMTOSECOND  LAYERS   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Butt-coupled movpe growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a dfb laser 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 297-301 作者:  Cheng, YuanBing;  Pan, JiaoQing;  Liang, Song;  Feng, Wen;  Liao, Zaiyi 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Coupling efficiency  Butt-joint scheme  Metal-organic vapor phase epitaxy  Selective area growth (sag)  Semiconducting indium phosphide  Laser diodes   Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 77-84 Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Han P; Wang XH; Wang D 收藏  |  浏览/下载：85/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  crystal morphology  organic vapor phase epitaxy  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GAN  SAPPHIRE  ALN  EPITAXY  MOVPE   Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 77-84 作者:  Yuan, HR;  Lu, DC;  Liu, XL;  Chen, Z;  Han, P 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal morphology  Organic vapor phase epitaxy  Nitrides