机构

• 金属研究所 [3]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [1]
• 1997 [1]
• 1992 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Stark Effect Dependence on Hydrogenic Impurities in GaAs Parabolic Quantum-Well Wires 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 953-959 S. Wang; G. Z. Wei; Y. Han 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 hydrogenic impurity  quantum-well wire  magnetic field  binding energy  magnetic-field  binding-energy  donor impurity  electric-field  shallow  donor  ground-state  dot   Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245 Ren GB; Dewsnip DJ; Lacklison DE; Orton JW; Cheng TS; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 donor acceptor pair  GaN  molecular beam epitaxy  photoluminescence  shallow acceptor  GAAS  LUMINESCENCE  CD   DONOR IMPURITY STATES ON ROUGH SEMICONDUCTOR INTERFACES 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 1992, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 229-234 H. Sun; S. W. Gu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/14 shallow-donor  quantum wells  spectra  energy   DONOR IMPURITY STATES ON STRUCTURED SEMICONDUCTOR INTERFACES 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 1992, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 2244-2249 H. Sun; S. W. Gu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 quantum wells  shallow-donor  si/sio2 interface  vicinal surfaces  confinement  resistance  roughness  spectra  energy