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• OAI收割 [4]

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• 期刊论文 [4]

发表日期

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Coupled Investigation of Contact Potential and Microstructure Evolution of Ultra-Thin AlOx for Crystalline Si Passivation 期刊论文  OAI收割 NANOMATERIALS, 2021, 卷号: 11, 期号: 7 作者:  Zheng, Zhen;  An, Junyang;  Gong, Ruiling;  Zeng, Yuheng;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/12/01 ATOMIC LAYER DEPOSITION  SURFACE PASSIVATION  CHARGE DYNAMICS  ALUMINUM-OXIDE  LIGHT-SOAKING  SILICON  AL2O3  INTERFACE  STABILITY  STACKS   Comparison of different types of interfacial oxides on hole-selective p(+)-poly-Si passivated contacts for high-efficiency c-Si solar cells 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 210 作者:  Guo, Xueqi;  Liao, Mingdun;  Rui, Zhe;  Yang, Qing;  Wang, Zhixue   |  收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2020/12/16 SILICON-OXIDE  P-TYPE  REAR CONTACTS  POLYSILICON  LAYER  RESISTANCE  TRANSPORT  JUNCTIONS  THICKNESS  QUALITY   Considerations of the intermediate oxides via XPS elemental quantitative analysis for the thickness measurements of ultrathin SiO2 on Si 期刊论文  OAI收割 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2011, 卷号: 43, 期号: 7, 页码: 1015-1017 作者:  Liu, Fen;  Zhao, Zhijuan;  Zhao, Liangzhong;  Wang, Hai   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/04/09 Intermediate Oxide  Silicon Dioxide  Elemental Quantitative Analysis  Layer Thickness Measurement  Xps   The role of silicon oxide layers in luminescence of ensembles of silicon quantum dots 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2001, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 371-380 S. H. Wang; G. Y. Qin; S. F. Ren; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon oxide layer  quantum dot  luminescence  porous silicon  si nanocrystals  photoluminescence  mechanism  states  electroluminescence  sio2-films  films  dlts