中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
  • OAI收割 [7]
内容类型
发表日期
  • 1991 [7]
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

限定条件        
条数/页: 排序方式:
Distributed feedback type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1991250686A, 申请日期: 1991-11-08, 公开日期: 1991-11-08
作者:  
HIRATA SHOJI
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
Method of making a surface emitting semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5034344, 申请日期: 1991-07-23, 公开日期: 1991-07-23
作者:  
JEWELL, JACK L.;  SCHERER, AXEL
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
- 专利  OAI收割
专利号: JP1991015831B2, 申请日期: 1991-03-04, 公开日期: 1991-03-04
作者:  
MATSUI KANEKI;  TANETANI MOTOTAKA;  MATSUMOTO AKIHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
STRUCTURE AND ESR INVESTIGATION OF PLASMA-POLYMERIZED FILM OF HEXAFLUOROPROPENE 期刊论文  OAI收割
journal of applied polymer science, 1991, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 233-241
WANG D; CHEN J
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2011/03/03
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF N+-IMPLANTED SILICON ON INSULATOR BY ENERGY-FILTERED IMAGING 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 3, 页码: 1850-1852
DUAN XF; DU AY; CHU YM
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/15
DEFECT MODEL OF PHOTOCONVERSION BY OXYGEN IN SEMIINSULATING GAAS 期刊论文  OAI收割
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 13435-13445
ZHONG XF
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/15
PHOTOEMISSION-STUDY ON THE SNO2/P A-SICX-H INTERFACE 期刊论文  OAI收割
journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 137, 期号: 0, 页码: 1091-1094
LIAO XB; KONG GL; WANG YX; ZHENG HD; ZHANG Q
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/15