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机构
半导体研究所 [3]
西安光学精密机械研究... [3]
长春应用化学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [3]
发表日期
1991 [7]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:1991
条数/页:
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Distributed feedback type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991250686A, 申请日期: 1991-11-08, 公开日期: 1991-11-08
作者:
HIRATA SHOJI
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/01/18
Method of making a surface emitting semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5034344, 申请日期: 1991-07-23, 公开日期: 1991-07-23
作者:
JEWELL, JACK L.
;
SCHERER, AXEL
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
-
专利
OAI收割
专利号: JP1991015831B2, 申请日期: 1991-03-04, 公开日期: 1991-03-04
作者:
MATSUI KANEKI
;
TANETANI MOTOTAKA
;
MATSUMOTO AKIHIRO
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/01/18
STRUCTURE AND ESR INVESTIGATION OF PLASMA-POLYMERIZED FILM OF HEXAFLUOROPROPENE
期刊论文
OAI收割
journal of applied polymer science, 1991, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 233-241
WANG D
;
CHEN J
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2011/03/03
TETRAFLUOROETHYLENE
SPECTROSCOPY
DISCHARGE
ESCA
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY STUDY OF N+-IMPLANTED SILICON ON INSULATOR BY ENERGY-FILTERED IMAGING
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 3, 页码: 1850-1852
DUAN XF
;
DU AY
;
CHU YM
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
ON-INSULATOR
NITROGEN
SPECTROSCOPY
LAYERS
DEFECT MODEL OF PHOTOCONVERSION BY OXYGEN IN SEMIINSULATING GAAS
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 13435-13445
ZHONG XF
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GALLIUM-ARSENIDE
LOCAL MODE
SPECTROSCOPY
PHOTOEMISSION-STUDY ON THE SNO2/P A-SICX-H INTERFACE
期刊论文
OAI收割
journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 137, 期号: 0, 页码: 1091-1094
LIAO XB
;
KONG GL
;
WANG YX
;
ZHENG HD
;
ZHANG Q
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
AMORPHOUS-SILICON
HYDROGEN PLASMA
SPECTROSCOPY
BARRIER
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