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西安光学精密机械研... [14]
南京地质古生物研究所 [1]
工程热物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
专利 [14]
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1982 [16]
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共16条,第1-10条
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发表日期:1982
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Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1982210687A, 申请日期: 1982-12-24, 公开日期: 1982-12-24
作者:
KUMABE HISAO
;
SOGOU TOSHIO
;
TAKAMIYA SABUROU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material
专利
OAI收割
专利号: US4365260, 申请日期: 1982-12-21, 公开日期: 1982-12-21
作者:
HOLONYAK, JR., NICK
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提交时间:2019/12/24
Optical semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1982198680A, 申请日期: 1982-12-06, 公开日期: 1982-12-06
作者:
YANO MITSUHIRO
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提交时间:2020/01/13
Phase-locked semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0065818A1, 申请日期: 1982-12-01, 公开日期: 1982-12-01
作者:
NAKASHIMA, HISAO
;
UMEDA, JUN-ICHI
;
MATSUDA, HIROSHI
;
KURODA, TAKAO
;
KAJIMURA, TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Monolithic laser scanning device
专利
OAI收割
专利号: US4360921, 申请日期: 1982-11-23, 公开日期: 1982-11-23
作者:
SCIFRES, DONALD R.
;
BURNHAM, ROBERT D.
;
STREIFER, WILLIAM
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1982184274A, 申请日期: 1982-11-12, 公开日期: 1982-11-12
作者:
IKEDA KENJI
;
OOSAWA JIYUN
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0064339A1, 申请日期: 1982-11-10, 公开日期: 1982-11-10
作者:
UMEDA, JUN-ICHI
;
NAKASHIMA, HISAO
;
KAJIMURA, TAKASHI
;
KURODA, TAKAO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1982173993A, 申请日期: 1982-10-26, 公开日期: 1982-10-26
作者:
OOMURA ETSUJI
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1982170583A, 申请日期: 1982-10-20, 公开日期: 1982-10-20
作者:
NAKASHIMA HISAO
;
UMEDA JIYUNICHI
;
KURODA IKUROU
;
KASHIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/13
Multiple stripe leaky mode laser
专利
OAI收割
专利号: US4348763, 申请日期: 1982-09-07, 公开日期: 1982-09-07
作者:
ACKLEY, DONALD E.
;
ENGELMANN, REINHART W. H.
;
KERPS, DIETRICH
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提交时间:2019/12/23