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  • 1983 [21]
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1983207691A, 申请日期: 1983-12-03, 公开日期: 1983-12-03
作者:  YAMAMOTO SABUROU;  HAYASHI HIROSHI;  YANO MORICHIKA
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Multilayer liquid-phase epitaxial growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1983191429A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者:  KISHI YUTAKA;  NAKAJIMA KAZUO;  YAMAZAKI SUSUMU
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Liquid phase epitaxial growth method 专利  OAI收割
专利号: JP1983190021A, 申请日期: 1983-11-05, 公开日期: 1983-11-05
作者:  KAWANO HIDEO
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Driving method of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1983182144A, 申请日期: 1983-10-25, 公开日期: 1983-10-25
作者:  MIZOGUCHI YASUMITSU;  TSUNODA YOSHITO;  SENOO HIROMI;  TAKASAGO MASAHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
Liquid phase epitaxial growth apparatus 专利  OAI收割
专利号: JP1983182223A, 申请日期: 1983-10-25, 公开日期: 1983-10-25
作者:  OONAKA SEIJI;  HASE NOBUYASU
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
Liquid phase epitaxial growth 专利  OAI收割
专利号: JP1983168218A, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04
作者:  NAKAJIMA KAZUO
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983159388A, 申请日期: 1983-09-21, 公开日期: 1983-09-21
作者:  OKAJIMA MASASUE;  MOGI NAOTO
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Preparation of buried hetero structured semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1983142589A, 申请日期: 1983-08-24, 公开日期: 1983-08-24
作者:  KITAMURA MITSUHIRO;  KOBAYASHI ISAO
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983134491A, 申请日期: 1983-08-10, 公开日期: 1983-08-10
作者:  SUGINO TAKASHI;  ITOU KUNIO;  WADA MASARU;  SHIMIZU HIROICHI
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Integrated photosemiconductor device and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1983116788A, 申请日期: 1983-07-12, 公开日期: 1983-07-12
作者:  WADA OSAMU
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