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采集方式

• OAI收割 [46]
• iSwitch采集 [9]

内容类型

• 期刊论文 [37]
• 专利 [11]
• 会议论文 [4]
• 学位论文 [3]

发表日期

• 1999 [55]

学科主题

• 半导体物理 [8]
• 光电子学 [4]
• Physics [2]
• 半导体材料 [2]
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• Physics, M... [1]
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浏览/检索结果: 共55条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter 专利  OAI收割 专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07 作者:  CHEN, MEN-CHEE;  BEVAN, MALCOLM J.   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method 专利  OAI收割 专利号: US5981977, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09 作者:  FURUKAWA, CHISATO;  SUGAWARA, HIDETO;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  SUZUKI, NOBUHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof 专利  OAI收割 专利号: US5963572, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05 作者:  HIROYAMA, RYOJI;  UETANI, TAKAHIRO;  OOTA, KIYOSHI;  KOMEDA, KOJI;  SHONO, MASAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Influence of lateral propagating modes on laser output characteristics in selectively oxidized vertical cavity surface-emitting lasers with double oxide layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 7, 页码: 3519-3524 作者:  Huang, YZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Intersubband quantum box semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US5953356, 申请日期: 1999-09-14, 公开日期: 1999-09-14 作者:  BOTEZ, DAN;  ZORY, PETER S.;  HSU, CHIA-FU   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 A novel 1.3-mu m high t-0 algainas/inp strained-compensated multi-quantum well complex-coupled distributed feedback laser diode 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 9a, 页码: 5096-5100 作者:  Chen, B;  Wang, W;  Wang, XJ;  Zhang, JY;  Fan, Z 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Fiber communication  Algainas/inp  Distributed feedback laser diodes  Complex-coupled grating  Strained-compensated  Lp-mocvd   Roles of defects and grain sizes in photoluminescence of nanocrystalline srtio3 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 29, 页码: 5655-5660 作者:  Zhang, WF;  Yin, Z;  Zhang, MS;  Du, ZL;  Chen, WC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/09 Red semiconductor laser of low beam divergence 专利  OAI收割 专利号: US5923689, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13 作者:  SU, YAN-KUIN;  LI, WEN-LIANG;  CHANG, SHOOU-JINN;  TSAI, CHIN-YAO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Radiation emitting semiconductor diode of buried hetero type having confinement region of limited Al content between active layer and at least one inp cladding layer, and method of manufacturing same 专利  OAI收割 专利号: US5914496, 申请日期: 1999-06-22, 公开日期: 1999-06-22 作者:  THIJS, PETRUS J.A.;  VAN DONGEN, TEUNIS   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Role of surface defect states in visible luminescence from oxidized hydrogenated amorphous si hydrogenated amorphous ge multilayers 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 25, 页码: 3773-3775 作者:  Xu, J;  He, ZH;  Chen, KJ;  Huang, XF;  Feng, DA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12