机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN   Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212 Zhu M; Guo X; Chen G; Han H; He M; Sun K 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2010/08/12 microstructures  microcrystalline silicon  hot wire chemical vapor deposition  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGEN  PLASMA  SPECTRA  GROWTH  SILANE   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN