机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [3]
• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2001 [6]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2001     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) gaas/al(ga)as superlattices and quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270 作者:  Ye, XL;  Chen, YH;  Wang, JZ;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/05/12 In-plane optical anisotropy in asymmetric si1-xgex/si/si1-ygey superlattices 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: L559-l567 作者:  Yu, R;  Zhu, BF;  Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in gaas/alxga1-xas superlattices 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 6 作者:  Ye, XL;  Chen, YH;  Wang, JZ;  Wang, ZG;  Yang, Z 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：87/9  |  提交时间：2010/08/12 ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  DIFFERENCE SPECTROSCOPY  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  INTERFACE   In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: l559-l567 Yu R; Zhu BF; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  QUANTUM-WELLS  ELECTRONIC-STRUCTURE  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  INTERFACES  FIELD   Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115317 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：105/2  |  提交时间：2010/08/12 GIANT OPTICAL ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  COMMON-ATOM  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES