机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [7]

学科主题

• 半导体材料 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2001     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 99-103 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：114/26  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  island columns  vapor phase epitaxy  Ge islands  nanomaterials  GROWTH  GE  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  LAYERS  DOTS   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：175/52  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  QUANTUM DOTS  INAS  GROWTH  STRAIN   Growing process of CdS nanoclusters in zeolite Y studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 3-4, 页码: 274-279 作者:  Liu SM 收藏  |  浏览/下载：95/3  |  提交时间：2010/08/12 growth models  nanostructures  surfaces  semiconducting II-VI materials  positron annihilation  SEMICONDUCTOR COLLOIDS  PHOTOCHEMISTRY  SUPERCLUSTERS  CLUSTERS  ELECTRON   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：125/19  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER