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西安光学精密机械研究... [4]
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武汉物理与数学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [7]
专利 [4]
发表日期
2002 [11]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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限定条件
发表日期:2002
条数/页:
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A1GaInP-based high-output red semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US20020181528A1, 申请日期: 2002-12-05, 公开日期: 2002-12-05
作者:
HIROYAMA, RYOJI
;
INOUE, DAIJIRO
;
NOMURA, YASUHIKO
;
TAKEUCHI, KUNIO
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/18
Aromatic polyamides derived from unsymmetrical diamines containing the phthalazinone moiety
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF POLYMER SCIENCE PART A-POLYMER CHEMISTRY, 2002, 卷号: 40, 期号: 20, 页码: 3489-3496
作者:
Cheng, L
;
Jian, XG
;
Mao, SZ
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2015/12/03
unsymmetrical and kink non-coplanar
heterocyclic diamine
poly(aryl ether amide)s
direct polymerization
heteroatom-containing polymers
high-performance polymers
polyamides
polycondensation
Semiconductor laser with kink suppression layer
专利
OAI收割
专利号: US6366595, 申请日期: 2002-04-02, 公开日期: 2002-04-02
作者:
BOWLER, DENNIS P.
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提交时间:2019/12/24
On formation of the sigmoidal structure in solar active region NOAA 8100
期刊论文
OAI收割
SOLAR PHYSICS, 2002, 卷号: 206, 期号: 2, 页码: 333-346
作者:
Liu, Y
;
Zhao, XP
;
Hoeksema, JT
;
Scherrer, PH
;
Wang, J
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提交时间:2017/06/28
Ridge waveguide semiconductor laser diode
专利
OAI收割
专利号: US20020024984A1, 申请日期: 2002-02-28, 公开日期: 2002-02-28
作者:
OHKUBO, MICHIO
;
IKEGAMI, YOSHIKAZU
;
NAMEGAYA, TAKESHI
;
KASUKAWA, AKIHIKO
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device with optical waveguide exhibiting high kink output
专利
OAI收割
专利号: US20020001325A1, 申请日期: 2002-01-03, 公开日期: 2002-01-03
作者:
IGARASHI, TOSHIAKI
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提交时间:2019/12/31
采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 4,1154_1157
作者:
刘新宇
;
刘运龙
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提交时间:2010/05/25
非对称结构
一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 5,1019_1023
作者:
刘运龙
;
刘新宇
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提交时间:2010/05/25
Soinmosfet
深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 7,323_329
作者:
徐秋霞
;
王新柱
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提交时间:2010/05/25
浅沟槽隔离工艺
Nonlinear elastic waves in a monatomic chain with nonlinear interaction
期刊论文
OAI收割
原子与分子物理学报, 2002, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 79-82
Pan Liuxian
;
Zhou Guanghui
;
Li Shushen
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提交时间:2010/11/23