机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2004 [14]

学科主题

• 半导体物理 [14]

筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The fabrication of self-aligned InAs nanostructures on GaAs(331)A substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 29-35 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Ni HQ; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：147/48  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：284/63  |  提交时间：2010/03/09 molecular beam epitaxy   Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 21, 页码: 5061-5063 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：119/27  |  提交时间：2010/03/09 INAS QUANTUM WIRES   Raman scattering of folded acoustic phonons in self-assembled Si/Ge dot superlattices 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 14, 页码: 2632-2634 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：153/36  |  提交时间：2010/03/09 GE   Photoluminescence characterization of nanocrystalline ZnO array 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2301-2304 Chang YQ; Yu DP; Li GH; Fang ZL; Zhang Y; Chen YF; Yang FH 收藏  |  浏览/下载：121/18  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Suppression of exciton recombination in symmetric GaAs0.7Sb0.3/GaAs/GaAs0.7P0.3 coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 752-754 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：153/39  |  提交时间：2010/03/09 PHOTOLUMINESCENCE   Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1012-1016 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Kong, LM; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：149/47  |  提交时间：2010/03/09 PHOTOLUMINESCENCE   Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：52/17  |  提交时间：2010/03/09 VAPOR-PHASE EPITAXY   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 13-17 Huang JS; Chen Z; Luo XD; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：136/15  |  提交时间：2010/03/09 atomic force microscopy