机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [5]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066 Fan, HB; Yang, SY; Zhang, PF; Wei, HY; Liu, XL; Jiao, CM; Zhu, QS; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：80/3  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  NANORODS  FILMS   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   Spin precession induced by an effective magnetic field in a two-dimensional electron gas 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 23, 页码: art. no. 233108 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：259/47  |  提交时间：2010/03/08 quantum wells  spin polarised transport  spin-orbit interactions  two-dimensional electron gas   Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP