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机构
半导体研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2014 [7]
学科主题
半导体物理 [7]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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限定条件
发表日期:2014
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 104, 104, 期号: 2, 页码: 023512, 023512
作者:
Jiang, XW
;
Gong, J
;
Xu, N
;
Li, SS
;
Zhang, JF
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/25
Ultralow-frequency shear modes of 2-4 layer graphene observed in scroll structures at edges
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2014, 2014, 卷号: 89, 89, 期号: 23, 页码: 235404, 235404
作者:
Tan, PH
;
Wu, JB
;
Han, WP
;
Zhao, WJ
;
Zhang, X
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/02
Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 31, 31, 期号: 7, 页码: 077203, 077203
作者:
Cao, YF
;
Cai, KM
;
Li, LJ
;
Lu, WJ
;
Sun, YP
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/25
High performance few-layer GaS photodetector and its unique photo-response in different gas environments
期刊论文
OAI收割
nanoscale, NANOSCALE, 2014, 2014, 卷号: 6, 6, 期号: 5, 页码: 2582-2587, 2582-2587
作者:
Yang, SX
;
Li, Y
;
Wang, XZ
;
Huo, NJ
;
Xia, JB
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提交时间:2015/05/11
Layer-dependent electrical and optoelectronic responses of ReSe2 nanosheet transistors
期刊论文
OAI收割
nanoscale, NANOSCALE, 2014, 2014, 卷号: 6, 6, 期号: 13, 页码: 7226-7231, 7226-7231
作者:
Yang, SX
;
Tongay, S
;
Li, Y
;
Yue, Q
;
Xia, JB
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2015/05/11
High-Performance Few-layer Mo-doped ReSe2 Nanosheet Photodetectors
期刊论文
OAI收割
scientific reports, SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 页码: 5442, 5442
作者:
Yang, SX
;
Tongay, S
;
Yue, Q
;
Li, YT
;
Li, B
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提交时间:2015/04/02
Performance limits of tunnel transistors based on mono-layer transition-metal dichalcogenides
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 104, 104, 期号: 19, 页码: 193510, 193510
作者:
Jiang, XW
;
Li, SS
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提交时间:2015/04/02