机构

• 新疆理化技术研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 3 作者:  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/12/12 SiGe HBTs  TID  ELDRS  annealing   Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/12 silicon-on-insulator  ionizing radiation  hot carriers   Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 8 作者:  Wang, X (Wang, Xin);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Guo, Q (Guo, Qi);  Wang, ZK (Wang, Zhi-Kuan) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/12/07 Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 1251-1258 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jinxin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chaohui) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/12 Bias conditions  Co-60 gamma irradiation  SiGe HBT  total ionizing dose effect