机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2003 [2]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structures and optical characteristics of InGaN quantum dots grown by MBE 期刊论文  OAI收割 xiyou jinshu cailiao yu gongcheng/rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032 Wang, Baozhu; Yan, Cuiying; Wang, Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/14 Atomic force microscopy  Gallium nitride  Molecular beam epitaxy  Optical materials  Optical properties  Reflection high energy electron diffraction  Sapphire   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文  OAI收割 5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：13/2  |  提交时间：2010/10/29 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  QUATERNARY ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES   The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24 Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XL; Wang XH; Li YF; Yuan HR; Lu Y; Bing LD; Zhu QS; Wang ZG; Wang XF; Yan L 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  SELF-ORGANIZED GROWTH  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACTANT  ALGAAS  WIRE   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE