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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [4]
学科主题
半导体材料 [3]
半导体化学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2000
条数/页:
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Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
INP(001)
INGAAS
Room temperature 1.55 mu m emission from InAs quantum dots grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
InAs/InP
INP
ISLANDS
GAAS
MATRIX
Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InAs/GaAs
MBE
photoluminescence
absorption
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
INGAAS
LASER